Diodes公司推出碳化矽（SiC）系列新品：DMWS120H100SM4 N通道碳化矽 MOSFET，可以应用於工业马达驱动、太阳能逆变器、数据中心及电信电源供应、直流对直流 (DC-DC) 转换器和电动车 (EV) 电池充电器等领域，对於更高效率与更高功率密度的需求。

Diodes推出碳化矽系列新品：DMWS120H100SM4 N通道碳化矽 MOSFET，采用TO247-4封装。

DMWS120H100SM4 在高电压 (1200V) 和汲极电流 (可达 37A) 的条件下运作，同时维持低导热性 (R_θJC= 0.6。C/W)，适合在恶劣环境中运作的应用。这款MOSFET的R_DS(ON)(典型值)很低，仅80mΩ(对於15V的闸极驱动)，能将传导耗损降至最低，并提高效率。而这款装置的闸极电荷仅 52nC，可减少开关耗损与降低封装温度。

本产品为首款采用TO247-4封装的碳化矽MOSFET。额外的凯尔文感应接脚可以接到MOSFET的源极，以最隹化切换效能达到更高的功率密度。