英飞凌科技发表新款高电压超接面(SJ) MOSFET 技术产品 600 V CoolMOS CFD7，让CoolMOS 7 系列更为完备。

英飞凌600 V CoolMOS CFD7效率较前一代产品和其他竞争产品高出 1.45%，结合了快速切换技术所有的优点和高整流耐用度，同时保有设计流程的简易实作性。

新款 MOSFET 产品满足高功率 SMPS 市场的谐振拓朴需求，为 LLC 和 ZVS PSFB 等软切换拓扑提供领先业界的效率与可靠度，最适合像是伺服器、电信设备电源和电动车充电站等高功率 SMPS 应用。

600 V CoolMOS CFD7 为 CoolMOS CFD2 的接续产品。新 MOSFET 产品效率较前一代产品和其他竞争产品高出 1.45%，结合了快速切换技术所有的优点和高整流耐用度，同时保有设计流程的简易实作性。600 V CoolMOS CFD7 除了降低闸极电荷 (Qg)，关断行为亦获得改善。此外，其逆回复电荷 (Qrr) 比市场上其他竞争产品少了 69%。600 V CoolMOS CFD7 提供了领先业界的??件式封装(THD) 和表面接着封装(SMD) 解决方案，支持高功率密度产品的设计需求。