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英飞凌全新CoolSiC MOSFET 实现无需冷却风扇的伺服驱动方案
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2020年11月16日 星期一

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英飞凌科技支援机器人与自动化产业实作免维护的马达变频器,今日宣布推出采用最隹化D2PAK-7 SMD封装、搭载.XT互连技术的全新1200V CoolSiC MOSFET,可实现被动冷却。相较於矽基解决方案,其损耗可降低达80%,因此不再需要冷却风扇与相关服务。此装置能够在伺服驱动器解决方案的各种额定功率实现高效率,其他受惠於此SMD装置的应用包括精简的充电基础设施及工业电源供应器。

搭载.XT互连技术的全新1200V CoolSiC MOSFET,可实现被动冷却。相较於矽基解决方案,其损耗可降低达80%,因此不再需要冷却风扇与相关服务。
搭载.XT互连技术的全新1200V CoolSiC MOSFET,可实现被动冷却。相较於矽基解决方案,其损耗可降低达80%,因此不再需要冷却风扇与相关服务。

英飞凌工业电源控制事业部总裁Peter Wawer表示:「无冷却风扇的自动化解决方案在节省维护作业与材料方面,开启了新局。藉由结合CoolSiC沟槽式MOSFET晶片与.XT互连技术,可提升小尺寸封装的散热与循环能力。这也有助於将驱动器精简地整合进马达或机器人手臂。」

伺服驱动器是制造设备马达的「启动器」,SiC MOSFET的电阻传导损耗及可完全控制的切换暂态,能够完美配合这类马达的负载曲线。系统损耗可??降低80%,相同EMC等级的IGBT解决方案(dv/dt为5至8V/ns时)也不例外。全新CoolSiC MOSFET SMD装置的短路承受时间为3μs,符合电感器相对小且缆线较短的伺服马达的需求。

此全新产品组合额定值介於30m?至350m?。.XT技术透过晶片封装互连能力,较标准封装可额外散发30%的损耗。CoolSiC .XT产品组合具备同级最隹的热效能与循环能力,因此相较标准技术,输出电流可增加14%、切换频率加倍、操作温度可降低10至15度。

D2PAK-7封装的1200V CoolSiC MOSFET现已开放订购。英飞凌预计在2021年将此SMD封装产品组合延伸至650V,并提供超过18种全新产品(RDS(on) 25至200m?)的工程样品。

關鍵字: MOSFET  Infineon 
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