账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍报导】   2008年12月22日 星期一

浏览人次:【895】

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出具备高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列,适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。

全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列
全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列

新组件的封装电流额定值达到195A,较典型封装电流额定值高出60%。新MOSFET并比先前的产品有更佳的导通电阻 (RDS(on)),以及提供普及的TO-220、D2PAK和TO-262封装。此外,7 接脚D2PAK封装的封装电流额定值达到240A的卓越水平,使它成为市场上最稳固的黏贴封装之一。这种7接脚D2PAK封装更比D2PAK进一步降低RDS(on)。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:「这些封装提供的更高电流额定值有助从不需要的瞬时提供更多防护频带,且能让有数枚MOSFET分享高电流的平行型拓朴可以减少组件数目。」

全新N信道MOSFET系列提供60V至200V电压,并达到工业级别及MSL1标准。新组件均不含铅及符合电子产品有害物质管制指令(RoHS)。

關鍵字: MOSFET  电流额定值  IR 
相关产品
英飞凌新款MOSFET优化高功率密度、效率和系统可靠性
ROHM推出SOT-223-3小型封装600V耐压Super Junction MOSFET
Littelfuse新款800V N沟道耗尽型MOSFET采用改进型SOT-223-2L封装
Diodes新款碳化矽MOSFET符合车规 可提升车用子系统效率
Magnachip扩展用於行动装置电池保护电路的新型MXT LV MOSFET
  相关新闻
» 亚湾2.0以智慧科技领航国际 加速产业加值升级
» 高通执行长Cristiano Amon於COMPUTEX 2024 分享智慧装置上的生成式AI运算
» 应材及东北微电子联手 为MIT.nano??注200mm晶圆研制能力
» 国科会核准科学园区投资案 德商易格斯进驻中科拔头筹
» Honeywell与恩智浦联手利用AI 加强建筑能源智慧管理
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK83SDUUEYESTACUKA
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw