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【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍报导】   2007年01月22日 星期一

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瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.),宣布推出RQG2003高效能功率SiGe HBT,可达最高效能等级,运用于无线局域网络终端设备、数字无线电话、及RF(无线电射频)卷标读取机/写入机等产品。预计于2007年3月起在日本开始提供样品。接续瑞萨科技现有的HSG2002,RQG2003为使用于功率放大器之晶体管,放大无线局域网络终端设备等装置RF前端的传输功率。

RQG2003是瑞萨科技首度采用其独特双渠(double-trench)架构之产品,在此架构中,会在单一晶体管区域中形成一个渠道隔离以及传导渠道。利用渠道隔离来区隔晶体管与底层的硅,可减少会导致高频率特性劣化的寄生电流容量(在底层与晶体管之间)。此外,传导渠道是以via holes方式连接电极与底层而建立的,可藉此降低因缆线结合所产生的电感。利用此双重渠道架构可大幅提升2.4 GHz及5 GHz频段的功率增益及功率增加效率。RQG2003采用最佳的银浆,可提高黏晶的可靠度及导电率,并采用Sn-Bi(锡-铋)做为封装电极电镀,提供完全无铅的产品。

RQG2003采用SiGeC程序,其中的SiGe底座尚有涂布碳,并且晶体管排列方式亦经过优化。这样可带来大幅的提升,集电装置电流密度提高,而且相较于瑞萨科技现有的HSG2002,1dB增益压缩功率提升约1.5 dBm。瑞萨科技计划扩大RQG系列SiGe功率晶体管的LNA(低噪声放大器)RQG1xxx及PA(功率放大器)RQG2xxx的产品种类,并持续开发RQL系列SiGe MMIC的LNA RQL1xxx及PA RQL2xxx产品,以提供更多的产品项目,满足持续成长的市场需求。

關鍵字: Renesas  讯号转换或放大器 
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