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意法半导体新MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET 大幅降低开关功率损耗
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2021年10月28日 星期四

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意法半导体(STMicroelectronics)新推出之新超接面STPOWER MDmesh K6系列强化了几个关键参数,以降低系统的功率损失。特别适合返驰式拓扑为基础的照明应用,例如LED驱动器、HID灯,或是适用于电源适配器和平板显示器的电源。

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意法半导体800V STPOWER MDmesh K6系列为这种超接面技术树立了兼具高性能和易用性的标准。 MDmesh K6的导通阻抗x晶片面积参数优于市面上现有800V产品,能够实现结合高功率密度并领先市场效能的紧密全新设计。

此外,K6 系列的闸极阈值电压相较上一代MDmesh K5更低,可使用更低的驱动电压,进而降低功耗并提升效能,主要用于待机零功耗的应用。总闸极电荷(Qg)极低,以实现高开关速度和低损耗。

晶片上结合一个 ESD 保护二极体,将 MOSFET的整体耐用性提升到人体放电模型(Human Body Model,HBM)2 级。

义大利固态照明创新企业TCI的技术长暨研发经理Luca Colombo表示,「我们已经测试评估了新的超接面高压MDmesh K6系列的样品,并注意到其出色的导通阻抗 x 晶片面积和总闸极电荷(Qg)效能。」

采用TO-220通孔封装的STP80N240K6 (RDS(on)max = 0.22?, Qgtyp = 25.9nC)是首批量产的MDmesh K6 MOSFET,ST eSTore网上商店现已提供免费样品。 DPAK和TO-220FP版本将于2022年1月前量产。

意法半导体将于2022年前推出MDmesh K6的完整产品组合,将产品导通电阻的范围从0.22Ω扩大至4.5Ω,并增加一系列封装选择,包括SMD和通孔包装。

關鍵字: st 
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