账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
 

【CTIMES/SmartAuto 蔡維駿报导】   2012年05月10日 星期四

浏览人次:【3356】

英飞凌科技(Infineon)日前推出新产品 500V CoolMOS CE,可在消费电子、个人计算机 Silverbox 和照明 SMPS(开关式电源供应器)等价格导向应用的电源供应设计中,取代标准MOSFET。英飞凌 500V CoolMOS CE 结合了最新超接面 MOSFET 的所有优点:低区域特定导通电阻、低切换耗损,及非常耐用的本体二极管。

新系列 CoolMOSCE 产品采用超接面技术,能改善低负载时的效率,相较于传统 MOSFET,大幅改善能源效率及成本。低区域特定导通电阻 (RDS(on)*A) 可降低导通耗损、降低输出电容的储存电力 (Eoss),并将切换耗损降到最低;闸电荷 (Qg) 降低,则能改善低负载时的效率,且全负载时效率也不打折;再加上 CoolMOS 技术优异的质量和可靠度,让系统成本和总拥有成本双双降低。

极耐用的本体二极管,加上较低的逆复原电荷 (Qrr),适合用于软切换产品,且切换运作控制容易,方便设计和运用。

關鍵字: 電源供應  Infineon 
相关产品
英飞凌针对汽车应用推出最低导通电阻 80 V MOSFET OptiMOS 7
英飞凌新款MOSFET优化高功率密度、效率和系统可靠性
英飞凌推出新一代 ZVS 返驰式转换器晶片组
英飞凌全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 产品提供高功率密度
英飞凌全新PSoC车规级 微控制器系列支援第五代 CAPSENSE技术
  相关新闻
» 群创强化半导体业务 建制下一世代3D堆叠半导体技术
» 罗姆旗下SiCrystal与意法半导体扩大SiC晶圆供货协议
» 硕特THS系列产品跻身2023年度产品奖
» M31携手台积电5奈米制程 发表MIPI C/D PHY Combo IP
» 联发科发表3奈米天玑汽车座舱平台 推动汽车产业迈入AI时代
  相关文章
» 以爆管和接触器驱动器提高HEV/EV电池断开系统安全性
» 生成式AI引爆算力需求 小晶片设计将是最隹解方
» PCIe传输复杂性日增 高速讯号测试不可或缺
» 挥别续航里程焦虑 打造电动车最隹化充电策略
» 高频宽电源模组消除高压线路纹波抑制干扰

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK84TCY7PUCSTACUK2
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw