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兼具低RDS(on)和宽广的安全操作区域

【CTIMES/SmartAuto 陳復霞整理报导】   2017年07月28日 星期五

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【德国慕尼黑讯】英飞凌科技 (Infineon) 推出OptiMOS线性FET系列产品,结合了先进沟槽式MOSFET的导通电阻(RDS(on)) 与平面型MOSFET的宽广安全操作区域,解决了需在RDS (on) 和线性模式功能间抉择的难题。新款OptiMOS线性FET可以在强化模式MOSFET的饱和区运作,适用於电信及电池管理系统(BMS)中常见的热??拔、电子熔丝和保护应用。

新款OptiMOS线性FET系列产品结合先进沟槽式MOSFET的导通电阻(RDS(on)) 与平面型MOSFET的宽广安全操作区域。
新款OptiMOS线性FET系列产品结合先进沟槽式MOSFET的导通电阻(RDS(on)) 与平面型MOSFET的宽广安全操作区域。

稳固的线性模式运作和高脉冲电流,可降低传导损耗、加速启动,并缩短停机时间。OptiMOS线性FET可限制高涌浪电流,预防短路时发生负载损坏。

OptiMOS线性FET目前提供三种电压等级:100 V、150 V和200 V,皆采用D2PAK 或D2PAK 7pin封装。上述业界标准封装具有相容尺寸,方便直接替换。

英飞凌OptiMOS线性FET目前提供三种电压等级:100 V、150 V 和 200 V,皆采用 D2PAK 或 D2PAK 7pin 封装。上述业界标准封装具有相容尺寸,方便直接替换。

關鍵字: 线性FET  Infineon  Infineon  电子逻辑组件 
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