东芝公司(Toshiba)旗下储存与电子元件解决方案公司推出EMI性能更佳化的600V/650V超接面N沟道功率MOSFET，该产品适用于工业和办公设备。

东芝新系列600V/650V超接面N沟道功率MOSFET适用于工业和办公设备。

该新系列拥有与东芝当前的「DTMOS IV系列」相同水准的低导通电阻、高速开关性能，同时，其最佳化的设计流程使EMI性能提升约3至5dB。而且，降低的单位面积导通电阻(RON x A)性能使新的650 v 0.29Ω产品可使用DPAK封装。该新系列产品适用于需要高效率和小体积的工业和办公设备电源、笔记型电脑和行动装置配接器和充电器以及电脑和印表机。

该新「DTMOS V系列」最初将提供12款产品。样品出货即日启动，量产出货计画于3月中旬启动。 (source:BUSINESS WIRE)