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盛美半導體推出功率元件立式爐設備 提升IGBT製程合金退火性能
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2020年12月24日 星期四

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隨著電晶體變薄、變小和速度變快,合金退火功能對滿足絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)元件不斷增長的生產要求至關重要。因此,半導體製造與晶圓級封裝設備供應商盛美半導體近日宣佈,其開發的Ultra Fn立式爐設備擴展了合金退火功能,將立式爐平台應用拓展到功率元件製造領域。

據行業研究公司Mordor Intelligence資料:「2019年IGBT市場價值為54億美元,預計到2025年將達到93.8億美元,複合年增長率為9.66%。IGBT的廣泛應用吸引了許多新公司進入市場。IGBT可驅動或轉換多種現代電器中的電能,如炊具,微波爐,電動汽車,火車,變頻驅動器(VFD),變速冰箱,空調,燈鎮流器,市政電力傳輸系統和立體聲系統,這些都配備了開關放大器。」

除了快速的終端市場增長之外,隨著晶片技術的發展,對IGBT的製造要求也在提高。當今的IGBT應用,尤其是電動汽車,需要更快捷的開關功能,更高的功率效率和密度。

盛美半導體設備董事長王暉表示:「如今的IGBT元件必須比以往更小,更快和更薄。盛美已於今年早些時候憑藉自己的薄片背面清洗設備進入了該產品類別。我們基於對功率元件製造的經驗和理解,為Ultra Fn開發了合金退火功能。 這將使我們的立式爐產品目標客戶從晶片製造領域擴展到現在的功率元件領域。」

該Ultra Fn立式爐設備定制化的合金退火功能,可在保護性/惰性氣體,還原性的氣體條件下或低至微托水準的高真空度條件下進行退火製程。依託它在晶圓傳輸系統、製程管和晶舟的設計,可應用於薄片或Taiko晶圓。

該設備可批量處理多達100片12英寸(300毫米)的晶圓。Ultra Fn設備的應用還可擴展到SIN,HTO的低壓力化學氣相沉積(LPCVD)製程,非摻雜多晶矽和摻雜多晶矽沉積,柵氧化層沉積製程,高達1200度的超高溫製程和原子層沉積(ALD)製程。

盛美半導體設備已於本(12)月初交付第一台合金退火設備給功率元件製造商。

關鍵字: 功率元件  IGBT  盛美半導體 
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