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貿澤供應Qorvo QPD1025L碳化矽基氮化鎵電晶體 適合航空電子應用
 

【CTIMES/SmartAuto 林彥伶報導】   2018年05月31日 星期四

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貿澤電子即日起開始供應Qorvo的QPD1025L碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 電晶體。

貿澤供應Qorvo 1800W QPD1025L碳化矽基氮化鎵電晶體,適合打造航空電子相關應用。
貿澤供應Qorvo 1800W QPD1025L碳化矽基氮化鎵電晶體,適合打造航空電子相關應用。

QPD1025在65V的運作功率達1.8 kW,為業界功率最高的碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 射頻電晶體,擁有高訊號完整度和延伸的涵蓋範圍,適合L波段航空電子和敵我識別 (IFF) 應用。

GaN技術的效能與可靠度已獲實證考驗,為基礎架構、國防與航太應用的最佳選擇,適用於雷達、通訊、導航與類似應用。其效能等級更為提升,讓設計人員在節省基板空間、降低系統成本等方面擁有更多彈性,並改善系統效能。

貿澤電子所供應的Qorvo QPD1025L為高電子遷移率電晶體 (HEMT),同時支援脈衝與連續波 (CW) 運作,能更有效地提供等同於矽基LDMOS裝置的效能。此裝置透過65 V電軌供電,提供22.5 dB線性增益和77.2%的典型功率附加效率 (PAE3dB)。QPD1025L電晶體具備內部輸入預先匹配,可簡化與外部電路板的匹配,同時節省電路板空間。

此電晶體符合無鉛和RoHS標準,受QPD1025L評估板支援。

關鍵字: 碳化矽  基氮化鎵  電晶體  貿澤  Qorvo  RoHS 
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