高性能類比和高速混合信號解決方案，局域網以及時鐘管理和通信解決方案領域的行業領導者麥瑞半導體公司今天推出了一款帶集成電荷泵的小型高邊MOSFET驅動器MIC5019，該器件是為在高邊開關應用中開關N溝道增強型MOSFET設計的。

麥瑞半導體類比產品事業部市場行銷副總裁Brian Hedayati表示："許多高邊應用要求MOSFET即便在源電壓接近供電電壓時仍能保持接通。麥瑞半導體的MIC5019 MOSFET驅動器利用內置電荷泵提升MOSFET門電壓高於供電電壓，從而實現這一目的。"

MIC5019採用小型4引腳1.2mm x 1.2mm thin QFN封裝，供電電壓範圍為2.7V到9V，當電源電壓為9V時可提供16V的門驅動電壓，當電源電壓為2.7V時可提供8V門驅動電壓。在低邊和高邊應用中，電源電壓為5V時的典型供電電流為150μA，休眠電流小於1μA。該器件的工作結溫範圍為-40攝氏度至125攝氏度。