半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產品「AW2K21」，封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導通電阻*2低至2.0mΩ（Typ.），達到業界頂級水準。

ROHM推出業界頂級超低導通電阻小型MOSFET

新產品採用ROHM獨家結構，不僅提高元件集約度，更降低單位晶片面積的導通電阻。另外透過在單一元件中內建雙MOSFET結構的設計，僅1顆新產品即可滿足雙向供電電路所需的雙向保護需求。

新產品中的ROHM獨家結構能夠將通常垂直溝槽MOS結構中，位於背面的汲極引腳置於元件表面，並採用了WLCSP*3封裝。WLCSP能夠增加元件內部晶片面積的比例，並降低新產品的單位面積導通電阻。導通電阻的降低不僅減少了功率損耗，更有助支援大電流，使新產品能夠以超小體積支援大功率快速充電。例如對小型設備的雙向供電電路進行比較後發現，使用市場競品時需要2顆3.3mm×3.3mm的產品，而使用新產品時僅需1顆2.0mm×2.0mm的產品，元件面積可減少約81％，導通電阻可降低約33％。即使與通常被認為導通電阻較低的同等尺寸GaN HEMT*4相比，新產品的導通電阻也降低了約50％。因此此款兼具低導通電阻和超小體積的「AW2K21」將非常有助降低應用產品的功耗並節省空間。

另外新產品還可作為負載開關應用中的單向保護MOSFET使用，在此情況下也實現了業界頂級導通電阻。

新產品已於2025年4月開始暫以每月50萬個的規模投入量產（樣品價格500日元/個，未稅），並已開始透過電商平台銷售。

ROHM目前亦在開發更小體積的1.2mm×1.2mm產品。今後ROHM將繼續致力提供更節省空間、並進一步提升效率的產品，助力應用產品小型化和節能化發展，為實現永續發展社會貢獻力量。