帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
英飛凌為三星高階智慧型手機 Galaxy S5 提供八款無線射頻元件
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2014年07月22日 星期二

瀏覽人次:【5420】

德國半導體製造廠商英飛凌科技股份有限公司為三星智慧型手機 Galaxy S5 提供共八款無線射頻元件。該公司在 LTE 低雜訊放大器 (LTE LNA)、四頻 LNA 模組 (Quad LNA banks)、GPS LNA 與 SPDT RF 開關 (SPDT RF Switch)領域是理想的合作夥伴。

英飛凌射頻及保護元件事業群副總裁暨總經理 Philipp Schierstaedt 表示:「智慧型手機市場的研發速度一日千里,如何立即發展出更高整合度、體積更精巧的新世代產品是成功的關鍵。很榮幸能獲得領導性廠商三星的青睞,與我們合作共同提供使用者可靠的服務以及更多功能。」

英飛凌的 LTE LNA 和四頻 LNA 模組,專為提高智慧型手機資料傳輸效率設計,效率比未採用 LNA 解決方案提高達 96 %,能讓 LTE 傳輸發揮最大功效。GPS LNA 能有效避免來自手機內部其他訊號的干擾,提供可靠的導航功能。最後則是英飛凌開發的 SPDT RF 開關,這項元件可確保 RF 訊號在指定路徑上傳遞。

S5 是三星電子最新推出的智慧型手機旗艦機種,配備兩支內建式 Wifi 天線,並有下載加速器,能夠同時結合 LTE 及 Wifi 無線網路,達到優異的傳輸速率。該手機採用 Andriod 系統,推出後第一個月的銷售量即已超越 1100 萬支。

英飛凌為行動裝置與蜂巢式基礎架構提供各式產品,包括 RF 裝置、TVS 二極體、矽麥克風與電源管理 IC。

三星 Galaxy S5 包含的英飛凌元件如下:

LTE LNA (低雜訊放大器)

‧ BGA7L1N6

‧ BGA7M1N6

‧ BGA7H1N6

四頻 LTE LNA 模組

‧ BGM7MLLM4L12

‧ BGM7LLHM4L12

GPS LNA

‧ BGA824N6S

SPDT RF 開關

‧ BGS12PL6

‧ BGS12SL

關鍵字: GPS  Infineon(英飛凌
相關產品
英飛凌針對汽車應用推出最低導通電阻 80 V MOSFET OptiMOS 7
英飛凌新款MOSFET優化高功率密度、效率和系統可靠性
英飛凌推出新一代 ZVS 返馳式轉換器晶片組
英飛凌全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 產品提供高功率密度
英飛凌全新PSoC車規級 微控制器系列支援第五代 CAPSENSE技術
  相關新聞
» 筑波集團攜手海大淨灘 齊力守護海洋生態
» 智成電子首度曝光AI晶片概念 整合BLE搶攻AIoT商機
» 經濟部攜手友達等廠商 展出23項前瞻顯示技術
» 電腦領域需求回升 聯電2024年第一季晶圓出貨量成長4.5%
» Tektronix頻譜分析儀軟體5.4版 可提升工程師多重訊號分析能力
  相關文章
» MPLAB® Connect Configurator簡介以及GUI常用功能範
» 以協助因應AI永無止盡的能源需求為使命
» 低 IQ技術無需犧牲系統性能即可延長電池續航力
» P通道功率MOSFET及其應用
» 運用能量產率模型 突破太陽能預測極限

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.18.226.251.68
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw