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日立將試產全球最高速SRAM
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   1999年06月21日 星期一

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日立製作所宣佈試產全世界最高速的靜態隨機存取記憶體(SRAM)。日晶產業新聞報導,日立製作所開發的新記憶體,記憶容量為一百萬位元(Mb),存取時間為550微微秒,預定今年內推出的下一代大型主機,即將搭配新技術製造的SRAM,適合高密度機體的金屬氧化半導體(MOS)電晶體,會在高電壓下受損,因此很難與高速、但容易產生高電壓的雙及電晶體組合在一起。

關鍵字: 金屬氧化半導體  靜態隨機存取記憶體  日立(Hitachi靜態隨機存取記憶體 
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