帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
IR推出兩款新型DirectFET功率MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍報導】   2005年10月14日 星期五

瀏覽人次:【1436】

功率半導體及管理方案領導廠商–國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)推出兩款新型的DirectFET功率MOSFET。相比常用於網路及通訊系統的中功率200W DC-DC匯流排轉換器應用中的增強式SO-8元件,它們可以把系統層面的功率損耗減少10%。

/news/2005/10/14/0736141185.jpg

這兩款新型IRF6668 80V和IRF6662 100V DirectFET MOSFET的匯編式通態電阻和閘電荷甚低,最適合用於高頻隔離式DC-DC匯流排轉換器的一次側電源開關。

IR台灣分公司總經理朱文義指出:「現今先進網路和通訊系統中的ASIC、NPU和FPGA,皆以隔離式DC-DC匯流排轉換器來驅動。IRF6668與IRF6662可以配合IR的低電壓DirectFET MOSFET和DC匯流排轉換器控制IC使用,建立用於中功率隔離式匯流排轉換器的完整及最佳化晶片組解決方案。」

假如把IRF6662或IRF6668使用於未調整的48V輸入、8V輸出和200W隔離式轉換器的一次側,原有每平方吋97W的功率密度便可再提高15%。全憑IR DirectFET MOSFET封裝技術的雙面冷卻功能加上散熱器,才能達到這個效果。

100V IRF6662的元件通態電阻,比同類的增強式SO-8 MOSFET減少了4%,而匯編式導態電阻及閘電荷的性能效益指數,則比用於36至75V輸入、8V輸出、200W、220kHz半橋式DC匯流排轉換器的同類增強式SO-8元件高出30%。

80V IRF6668的通態電阻比同類的增強式SO-8 MOSFET改善了10%,總閘電荷也改善了30%,使匯編式導態電阻及閘電荷的性能效益指數提升了40%,在48V輸入、8V輸出、200W、220kHz半橋式DC匯流排轉換器中,體現多出10%的輸出電流。

關鍵字: IR  朱文義  其他電源元件 
相關產品
IR新款FastIRFET雙功率MOSFET採用4×5 PQFN功率模塊封裝
IR推出電池保護應用MOSFET系列
IR推出表面黏著型75V MOSFET搭載極低導通電阻
IR為高功率工業應用推出新IGBT模組系列
IR推出75V MOSFET具有極低導通電阻
  相關新聞
» 亞灣2.0以智慧科技領航國際 加速產業加值升級
» 高通執行長將於COMPUTEX 2024 分享智慧裝置上的生成式AI運算
» 應材及東北微電子聯手 為MIT.nano挹注200mm晶圓研製能力
» 國科會核准科學園區投資案 德商易格斯進駐中科拔頭籌
» Honeywell與恩智浦聯手利用AI 加強建築能源智慧管理
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.52.90.121.17
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw