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安森美半導體推出全新工業級和符合車規的SiC MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2019年03月19日 星期二

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安森美半導體推出了兩款全新碳化矽(SiC)MOSFET。工業級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級NVHL080N120SC1把寬能帶隙(WBG)技術的使能、廣泛性能優勢帶到重要的高增長終端應用領域如汽車DC-DC、電動汽車車載充電機、太陽能、不斷電系統(uninterruptable power supply;UPS)及伺服器電源。

安森美半導體推出全新工業級和符合車規的SiC MOSFET
安森美半導體推出全新工業級和符合車規的SiC MOSFET

此標誌著安森美半導體壯大其全面且不斷成長的SiC生態系統,包括SiC二極體和SiC驅動器等互補元件,以及重要設計資源如元件仿真工具、SPICE模型和應用資訊,以幫助設計和系統工程師應對高頻電路的開發挑戰。

安森美半導體的1200伏(V)、80毫歐(mΩ)、SiC MOSFET是強固的,符合現代高頻設計的需求。它們結合高功率密度及高能效的工作優勢,由於元件的更小占位,可顯著降低運行成本和整體系統尺寸。這些特性使需要的熱管理更少,進一步減少物料清單(Bill of Materials;BoM )成本、尺寸和重量。

新元件的關鍵特性和相關設計優勢包括領先同類的低漏電流、具低反向恢復電荷的快速本徵(intrinsic)二極體,從而大大降低功耗,支援更高頻率工作和更高功率密度,低導通損耗(Eon)及關斷損耗(Eoff)/快速導通及關斷結合低正向電壓降低總功耗,因此減少散熱要求。低電容支援以很高頻率開關的能力,減少惱人的電磁干擾(EMI)問題;同時,更高浪湧、雪崩能力和強固的短路保護增強整體強固性,提高可靠性和延長總預期使用壽命。

安森美半導體全新的SiC MOSFET另一優勢是具有專利的終端結構,增加了可靠性和強固性,並增強了工作穩定性。NVHL080N120SC1設計用於承受高浪湧電流,並提供高的雪崩能力和強固的短路保護。符合AEC-Q101的MOSFET及其它SiC元件,確保可充分用於因日增的電子含量和電動動力總成而興起的越來越多的車載應用。175℃的最高工作溫度適合汽車設計,以及高密度和空間限制推高典型環境溫度的其他目標應用。

安森美半導體電源方案部功率MOSFET分部副總裁暨總經理Gary Straker就新的SiC MOSFET的推出和公司寬能帶隙生態系統的總體增強表示:「最重要的應用和當前的大趨勢越來越要求超越常規矽元件的全方面性能。安森美半導體全面的SiC產品陣容因這兩款新MOSFET的推出而增強,並由含一系列工具和資源的生態系統支援,說明我們不僅可提供完整的寬能帶隙元件方案,還可引導工程師透過開發和導入設計流程實現預期功能的、具性價比、高可靠性及長使用壽命的方案。」

關鍵字: MOSFET  安森美半導體 
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