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Diodes推出新型雙MOSFET組合式元件
 

【CTIMES/SmartAuto 陳盈佑報導】   2009年07月07日 星期二

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Diodes公司近日推出了新型的ZXMC10A816元件,它把一對互補性的100V增強式MOSFET結合於一個SO8封裝,性能可以媲美體積更大的個別封裝零件。ZXMC10A816適用於H橋電路,應用範圍包括DC散熱扇和反相器電路、D類放大器輸出級,以及其他多種類型的48V應用。

Diodes新型雙MOSFET組合式元件,節省空間不折損性能。
Diodes新型雙MOSFET組合式元件,節省空間不折損性能。

Diodes亞太區技術市場總監梁後權指出,這個N與P通道MOSFET的組合能夠代替採用SOT223和DPak (TO252)封裝的等效元件,有助於減少電路板空間和元件數目,同時簡化閘極驅動電路的佈置。SO8充分發揮了節省空間的潛能,其佔位面積只有31平方毫米,只有兩個SOT223 MOSFET的30%。

最新雙元件封裝內的N與P通道MOSFET,在10V的閘極電壓(VGS)下能夠體現甚低的閘極電荷,典型通態電阻(RDS(ON)) 別為230mΩ和235mΩ,確保切換和通態損耗保持在最低的水平。功率耗散分別為2.4W及2.6W。

關鍵字: MOSFET  Diodes  梁後權  電晶體 
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