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英飛凌推出新款1700V CoolSiC MOSFET 採用高壓SMD封裝
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2020年06月08日 星期一

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繼今年稍早推出的650V產品後,英飛凌科技擴充旗下CoolSiC MOSFET系列電壓等級,現在更新添具專屬溝槽式半導體技術的1700V電壓等級產品。新款1700V表面黏著裝置(SMD)產品充分發揮了碳化矽(SiC)強大的物理特性,提供優異的可靠性和低切換及導通損耗。1700V CoolSiC MOSFET適用於三相轉換系統的輔助電源供應器,例如:馬達、再生能源、充電基礎設施及HVDC系統等。

全新1700V CoolSiC溝槽式MOSFET適用於 +12V/0V閘極源極電壓與一般PWM控制器相容的返馳式拓撲,因此,無需閘極驅動IC,就能直接以返馳式控制器來運作。
全新1700V CoolSiC溝槽式MOSFET適用於 +12V/0V閘極源極電壓與一般PWM控制器相容的返馳式拓撲,因此,無需閘極驅動IC,就能直接以返馳式控制器來運作。

這類低功率應用通常在100W以下運作。在這些情況下,設計人員通常偏好採用單端返馳式拓撲。有了SMD封裝的1700V CoolSiC MOSFET後,甚至能在輸入電壓高達1000VDC的直流連結連接輔助電路啟用這種拓撲技術。使用單端返馳式轉換器的輔助轉換器具高效率和高可靠性,可建置於三相電源轉換系統中,進而將尺寸縮到最小並減少物料清單。

英飛凌工業電源控制部門SiC資深協理Peter Friedrichs博士表示:「1700V CoolSiC MOSFET採用溝槽式技術,可完美平衡效能及可靠性。它結合SiC的出色特性:在高壓SMD封裝中提供精巧尺寸及低損耗,有助於讓我們的客戶大幅降低其輔助電源供應器的複雜性。」

1700V阻斷電壓消除了設計上針對過電壓餘度及電源供應器可靠度的疑慮。CoolSiC溝槽式技術具備此電壓等級電晶體的最低裝置電容和閘極電荷。因此,與先進的1500V矽MOSFET相比,其功率耗損減少了50%以上,效率也提升了2.5%。與其他1700V SiC MOSFET相比,其效率提升0.6%。低損耗有助於打造尺寸精巧的SMD封裝,以自然對流冷卻的方式進行組裝,不再需要散熱器。

全新1700V CoolSiC溝槽式MOSFET適用於+12V/0V閘極源極電壓與一般PWM控制器相容的返馳式拓撲,因此,無需閘極驅動IC,就能直接以返馳式控制器來運作。導通電阻額定值為450mΩ、650mΩ或1000mΩ。全新7引腳D2PAK SMD封裝提供7mm以上的爬沿距離及空間距離,可實現一般1700V應用的要求和PCB規格,將整個設計的隔離效果降到最少。

採用D2PAK-7L封裝的1700V CoolSiC MOSFET已開始批量上市。

關鍵字: MOSFET  Infineon(英飛凌
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