英飛凌推出採用TO263-7封裝的新一代車規級1200 V CoolSiC MOSFET。這款新一代車規級碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠實現雙向充電功能，並顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應用的系統成本。

英飛凌推出 TO263-7 封裝的新一代 1200 V CoolSiC 溝槽式 MOSFET

相比第一代產品，1200 V CoolSiC系列的開關損耗降低了25%，具有同類最佳的開關性能。這種開關性能上的改進實現了高頻運行，縮小了系統尺寸並提高了功率密度。由於閘極-源極閾值電壓（VGS(th)）大於4V且Crss/Ciss比率極低，因此在VGS=0 V時可實現可靠的關斷，而且沒有寄生導通的風險。這使得單極驅動成為可能，從而降低了系統成本和複雜性。另外，新一代產品具有低導通電阻（RDS(on)），減少了-55℃至175℃溫度範圍內的導通損耗。

先進的擴散焊接晶片貼裝工藝（.XT技術）顯著改善了封裝的熱性能，相比第一代產品，SiC MOSFET的接面溫度降低了25%。

此外，這款 MOSFET的爬電距離為5.89 mm，符合800 V系統要求並減少了塗佈工作量。為滿足不同應用的需求，英飛凌提供一系列RDS(on)選項，包括目前市場上唯一採用TO263-7封裝的9 mΩ型。

KOSTAL在其OBC平台中使用CoolSiC MOSFET

KOSTAL Automobil Elektrik在其為中國 OEM 廠商提供的新一代OBC平台中採用了英飛凌最新的CoolSiC MOSFET。KOSTAL是一家全球領先的汽車充電器系統供應商，透過其標準化平台方案為全球提供安全、可靠和高效的產品，可滿足各OEM廠商的要求及全球法規。

英飛凌車規級高壓晶片和分立元件產品線副總裁 Robert Hermann 表示：「低碳化是這十年的主要挑戰，讓我們更有動力與客戶一起推動汽車的電氣化進程。因此，我們十分高興能夠與KOSTAL合作。這個專案突出了我們的標準產品組合在採用先進SiC技術的車載充電器市場中的強大地位。」

KOSTAL ASIA副總裁暨技術執行經理Shen Jianyu表示：「英飛凌的新型1200V CoolSiC溝槽式MOSFET額定電壓高、具備優異的強固性，是我們未來一代OBC平台的關鍵組件。這些優勢有助於我們創造一個相容的設計，以管理我們最先進的技術解決方案，實現優化成本和大規模的市場交付。」