帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
東芝推出散熱效果更佳40V Nch功率MOSFETs 符合AEC-Q101標準
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2018年08月21日 星期二

瀏覽人次:【2438】

東芝電子元件及儲存裝置株式會社(東芝)推出兩款可應用於車用相關設計最新40V Nch MOSFET – TPWR7904PB & TPW1R104PB,可應用於電動輔助轉向系統、負載開關、電動幫浦。

東芝推出散熱效果更佳40V Nch功率MOSFETs,符合AEC-Q101標準 。
東芝推出散熱效果更佳40V Nch功率MOSFETs,符合AEC-Q101標準 。

此款IC為U-MOS第九代晶片採用溝槽式結構,其確保高散熱及低電阻的特性。讓散熱設計更加靈活。與前一代相比,U-MOS第九代的切換干擾也較低,EMI表現效果較佳。

封裝採用DSOP Advance (WF; Wettable Flank) 為側翼可沾錫的封裝結構。雙面散熱封裝,低電阻以及小尺寸。

關鍵字: MOSFET  AEC-Q101  東芝(Toshiba
相關產品
英飛凌針對汽車應用推出最低導通電阻 80 V MOSFET OptiMOS 7
英飛凌新款MOSFET優化高功率密度、效率和系統可靠性
ROHM推出SOT-223-3小型封裝600V耐壓Super Junction MOSFET
東芝小型光繼電器適用於半導體測試儀中高頻訊號開關
Littelfuse新款800V N溝道耗盡型MOSFET採用改進型SOT-223-2L封裝
  相關新聞
» 英飛凌功率半導體為麥田能源提升儲能應用效能
» 工研院攜手產業實踐淨零行動 聚焦氫能創新、共創綠色金融科技平台
» TI創新車用解決方案 加速實現智慧行車的安全未來
» 車電展歐特明以視覺AI實現交通事故歸零願景
» 多元事業引擎發威 友達揭示零售、教育、醫療高值化方案
  相關文章
» 以協助因應AI永無止盡的能源需求為使命
» 低 IQ技術無需犧牲系統性能即可延長電池續航力
» P通道功率MOSFET及其應用
» 運用能量產率模型 突破太陽能預測極限
» 新一代4D成像雷達實現高性能

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.52.14.8.34
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw