【德國慕尼黑訊】英飛凌科技（Infineon）CoolMOS系列推出新產品：採用 TO-Leadless 封裝的 CoolMOS C7 Gold 650 V。本產品結合改良的超接面 (SJ) 半導體製程與先進 SMD 封裝設計，為硬式切換應用帶來優異效能。小型尺寸封裝可為伺服器、電信及太陽能應用帶來更具優勢的功率密度。

英飛凌推出採用 TO-Leadless 封裝的高效能與小尺寸 CoolMOS C7 650 V Gold。

C7 Gold CoolMOS 技術包含 4 針腳 Kelvin 源極功能及改良的 TO-Leadless 封裝散熱性，可為高電流拓撲 (例如最高 3 kW 的功率因數校正 (PFC)) 實現可行的 SMD 解決方案。提升後的 C7 Gold 效能具有更低的切換損耗及熱能損耗，因而能達到更高效率。C7 Gold 技術具備最低的 Ron*A 以及僅 115 mm2 的微小面積，同時在如此精巧的尺寸上可達到最低 33 m? RDS(on) 的導通電阻。

無引腳的Gold

相較於 D2PAK 等其他傳統 SMD 封裝，TO-Leadless 封裝減少了 30% 的面積、50% 的高度及 60% 的空間。此封裝亦可做為標準 3 針腳 MOSFET 或使用 4 針腳 Kelvin 源極概念來進行連接。這項功能的實作於滿載期間更可顯著的增加效率，亦能夠減低閘極鈴振以提升使用的簡易度。

高品質 TO-Leadless 封裝具極低的 1 nH 源極電感，採無引腳設計且相容於 MSL1，此封裝可輕鬆進行焊接檢查，並適用於波峰焊接與紅外線焊接。相較於引腳封裝，TO-Leadless 的優勢不僅有更高的功率密度，其 SMD 封裝的安裝過程更為簡易，有助於降低製造成本。

CoolMOS C7 650 V Gold TO-Leadless 已開放訂購。（編輯部陳復霞整理）