全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm推出兩款採用4引腳TO-247封裝的新型SuperGaN器件—TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET，各別具有35毫歐和50毫歐的導通電阻，並配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能，因應高功率伺服器、可再生能源、工業電力轉換領域的需求。

Transphorm推出兩款採用4引腳TO-247封裝的新型SuperGaN器件—TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET，符合高功率伺服器、可再生能源、工業電力轉換領域的需求。

新產品將採用Transphorm成熟的矽襯底氮化鎵製程，該製造工藝不僅可靠性高，而且具有良好的成本效益，適合現有矽基生產線量產。一千瓦及以上功率級的資料中心、可再生能源和各種工業應用的電源中，Transphorm的4引腳SuperGaN器件可作為原始設計選項，也可直接替代現有方案中的4 引腳矽基和SiC器件。4引腳配置能夠進一步提升開關性能，從而為使用者提供靈活性。

TO-247-4L封裝器件具有相同的穩健性、易設計性和易驅動性，目前50毫歐TP65H050G4YS FET已可供貨，35毫歐TP65H035G4YS FET正在出樣，預計於 2024 年一季度供貨上市。