宜普電源轉換公司（EPC）推出12 V輸入、48 V輸出、500 W的DC/DC演示板（EPC9166），展示瑞薩電子(Renesas)的ISL81807 80 V兩相同步GaN升壓控制器和宜普公司最新一代EPC2218 eGaN FET，在開關頻率為500 kHz的12 V輸入到48 V穩壓輸出轉換中，效率超過96.5%。輸出電壓可配置為36 V、48 V和60 V。該板在?有散熱器的情?下，可提供480 W的功率，雙方?合技術實現高功率密度和低成本的DC/DC轉換。

宜普公司推出基於氮化鎵元件的12 V/48 V、500 W 升壓轉換器演示板，BOM尺寸矽與元件相同，可實現高效率和高功率密度。

穩壓DC/DC升壓轉換器廣泛用於數據中心、計算和汽車應用，在其他輸出電壓中，將標稱的12 V轉換?48 V的配電總線。主要的趨勢是朝?實現更高的功率密度發展。

eGaN場效應電晶體具有快速開關、高效率和小尺寸等優勢，可以?足這些前沿?用對功率密度的嚴格要求。EPC2218是市場上最小、效率最高的100 V的FET。ISL81807是業界首款整合GaN驅動器的80 V雙路輸出/兩相（單輸出）同步降壓控制器，可支持高達2 MHz?率。ISL81807採用電流模式控制，產生兩個獨立的輸出或一個具有兩個交錯相位的輸出。它支持電流共享，同步並聯更多的控制器/更多的相位，提高輕負載的效率和低關斷電流。ISL81807直接驅動EPC氮化鎵場效應電晶體，實現設計簡單、元件數量少和低成本的解決方案。

宜普公司首席執行長Alex Lidow表示，瑞薩電子的控制器IC讓工程師更容易使用氮化鎵元件。與瑞薩電子合作將其優越的控制器與宜普的高性能氮化鎵元件結合，為客戶提供採用少量元件的解決方案，以提高效率、增加功率密度和降低系統成本。

瑞薩電子移動、工業和基礎設施電源部門副總裁Andrew Cowell表示：「瑞薩電子的ISL81807旨在高功率密度解決方案中，充份發揮GaN FET的高性能。ISL81807降低了GaN解決方案的BOM成本，因?它不需要MCU、電流感應運算放大器、外部驅動器或偏置電源。它還具有完全保護功能並整合了GaN驅動器。有了ISL81807，使用氮化鎵場效應電晶體的設計就像使用矽基場效應電晶體一樣簡單。」

關於ISL81807更多訊息，包括樣本、檔案和評估工具，請瀏覽:renesas.com/isl81807