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意法半導體擴大碳化矽MOSFET系列為應用帶來寬能隙技術優勢
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部報導】   2016年01月20日 星期三

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意法半導體(ST)推出新款SCT20N120碳化矽功率MOSFET,其先進的能效與卓越的可靠性將為更多節能應用帶來技術優勢,包括純電動汽車和混合動力汽車的逆變器、太陽能或風力發電、高能效驅動器、電源以及智慧電網設備。

意法半導體擴大碳化矽MOSFET系列為應用帶來寬能隙技術
意法半導體擴大碳化矽MOSFET系列為應用帶來寬能隙技術

意法半導體推出1200V SCT20N120進一步擴大了碳化矽MOSFET產品系列,具有小於290m?的導通電組(RDS(ON))及高達200°C的最大工作接面溫度等諸多特性優勢;其高度穩定的關機能源(Eoff)與閘極電荷(Qg)可使開關性能在整個工作溫度範圍內表現始終如一。最終的低導通和切換損耗結合超低漏電流將有助於簡化熱管理設計,並最大幅度地提高可靠性。

除更低的電能耗損外,意法半導體的碳化矽MOSFET的開關頻率也同樣出色,較同等級的矽絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)高出三倍,這讓設計人員能夠使用更小的外部元件,進而縮減產品尺寸、重量以及材料成本。SCT20N120的耐高溫特性可大幅簡化電源模組、電動汽車等應用的冷卻/散熱系統(cooling-system)設計。

SCT20N120採用意法半導體獨有的HiP247封裝,其更高的熱效率可使管線在最大工作溫度高達攝氏200度時,依然能夠維持與TO-247工業標準功率封裝外型相容。SCT20N120目前已開始量產。

關鍵字: 碳化矽  MOSFET系列  寬能隙技術  ST(意法半導體
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