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瑞薩電子新系列半導體雷射二極體可實現100 Gbps高容量/速度的光學通訊
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部報導】   2016年11月08日 星期二

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瑞薩電子(Renesas)推出全新系列半導體雷射二極體「NX6375AA系列」。此款新開發的直接調變分佈式反饋雷射二極體(DFB LD,註1)支援100 Gbps光學收發器的25 Gbps ×四波長光源,可用於資料中心內伺服器與路由器之間的通訊。

瑞薩電子新系列半導體雷射二極體,為物聯網時代的資料中心實現100 Gbps高容量/速度的光學通訊。支援高溫運作並協助在高速通訊及高溫環境中穩定運作。
瑞薩電子新系列半導體雷射二極體,為物聯網時代的資料中心實現100 Gbps高容量/速度的光學通訊。支援高溫運作並協助在高速通訊及高溫環境中穩定運作。

*NX6375AA系列可讓系統開發人員設計高速光學收發器與光學模組,即使在高溫環境中也非常可靠,此全新系列產品適用於資料中心內的伺服器與路由器,並已經可供量產。

近來由於聯網時代的雲端運算大為盛行,連接至網際網路並處理大量資料的資料中心之規模與處理容量,預期將以每年59%的速度持續增加(註2)。在上述環境的資料中心內,光學收發器需要更高的傳輸速度,才能滿足伺服器與路由器之間的通訊需求,100 Gbps系統將取代目前主流40 Gbps系統,預期年成長率將達到75%(註2)。

但以上趨勢的主要顧慮在於系統的發熱將隨著通訊速度等比例增加,而可能造成運作狀態不穩定。因此,在高溫環境及較高通訊速度下維持穩定運作,已成為光學收發器的主要議題。

瑞薩自2004年起推出適用於此領域的LD,當時的通訊速度為10 Gbps。全新NX6375AA LD系列支援100 Gbps系統,預期將成為未來通訊系統的主流,同時藉由解決此領域的上述問題,將有助於使用者的光學收發器裝置達到更高的速度與穩定性。

主要功能

(1)創立在Tc =攝氏-5度至85度的作業溫度範圍中,每波長達到最高28 Gbps的運作穩定性

此款LD不僅支援以四波長達到100 Gbps,同時支援最高112 Gbps的系統。此外,此款LD採用瑞薩獨特的嵌入式架構,並採用砷化鋁鎵銦(AlGaInAs)做為材料。因此,藉由最佳化DFB結構,這款LD可在Tc =攝氏-5度至85度的廣大作業溫度範圍中,達到最高28 Gbps的傳輸速率(註2)。

此LD系列的四個波長為1271、1291、1311及1331奈米(nm),支援瑞薩獨特技術CWDM的波長間隔(註3)。

(2)確保10萬小時MTTF的高可靠性(註4)

為了讓這些LD安全地用於資料中心環境,瑞薩在晶圓晶體生長製程中採用窄寬選擇生長技術,控制有效層中的晶體缺陷,並形成保護性氧化鋁層(瑞薩的獨特技術)。由於鋁的氧化反應可在製程中加以控制,因此這些雷射二極體可達到領先業界的10萬小時平均失效時間(MTTF)水準,確保極高可靠性(註4)。

瑞薩除了針對100 Gbps高速通訊應用領域,積極擴大其LD產品,亦持續努力擴大其LD的在低溫方面的作業溫度範圍,以符合通訊基地台等應用的需求。此外,瑞薩可結合LD、高速光學接收裝置及瑞薩微控制器(MCU),提供加值程度更高的解決方案計畫。

即日起開始供應NX6375AA系列樣品。目前已開始量產,預期至2107年4月可達每月生產10萬顆四波長產品的規模。(編輯部陳復霞整理)

註解

註1:分佈式反饋雷射二極體。LD類型之一,具有內部繞射晶格結構,並具有單模諧振。DFB LD非常適合高速通訊應用。

註2:根據瑞薩研究(2016年10月25日)

註3:CWDM:粗式波長分割多工轉換。一種可在單一光纖中傳送不同波長(亦即多頻)光學訊號的技術),透過這些元件,4個25 Gbps的波長可提供總計100 Gbps的容量。

註4:10萬小時MTTF可靠性並無絕對保證。

關鍵字: 雷射二極體  物聯網  資料中心  光學通訊  高溫運作  高速通訊  高溫環境  瑞薩電子(Renesas系統單晶片 
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