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Fairchild與Infineon達成創新型汽車MOSFET無鉛封裝技術授權合約

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快捷半導體(Fairchild)和英飛凌科技(Infineon)日前宣佈已就英飛凌的H-PSOF (附散熱片之小形扁平接腳塑料封裝) 先進汽車MOSFET封裝技術達成授權合約。H-PSOF是符合JEDEC標準的TO無鉛(TO-LL) 封裝 (MO-299)。

這款封裝專為包括油電混合車電池管理、電動助力轉向系統 (EPS)、主動式交流發電機(active alternator)和其他高負載電氣系統等高電流汽車應用而設計。TO無鉛封裝是第一個具有300A電流處理能力的封裝。這種封裝在線路板佔用空間方面比現今的D2PAK封裝具有更明顯的優點,能減小佔用空間20%以上,封裝高度降低50%。

為了滿足更高效率和更低排放強制要求,開發新型發動-停止系統、電動助力轉向、電池管理和主動式交流發電機的汽車電子企業正不斷尋求創新型解決方案,同時必須儘量減小產品由單一供應商供貨的風險。為了確保產品供應的可靠性,快捷半導體和英飛凌達成此項協議,目的是將先進的TO無鉛MOSFET方案帶入汽車市場,同時大大降低單一供應商來源帶來的風險。

快捷半導體將TO無鉛功率封裝技術用於其最新的MOSFET技術,預計於二○一二年下半年提供第一個採用TO無鉛封裝的MOSFET元件,並於二○一三年中期提供在產元件。

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關鍵字:MOSFET封裝技術