三星電子日前發表新款8Gb OneNAND晶片，是利用30奈米級的製程技術完成，由於多元的應用軟體與大量多媒體軟體的使用日漸增長，創造了智慧型手機需要更多程式資料儲存的趨勢，基於單層式（SLC）NAND flash設計的全新高密度OneNAND則可滿足此需求。此款高密度OneNAND記憶體已開始提供樣品，並計劃於這個月末開始量產。
此產品8Gb OneNAND擁有SLC設計的可靠性，以及經過市場證明OneNAND效能，可以每秒70 MB的速度讀取資料，是過去傳統NAND讀取速度（每秒17MB）的4倍以上。這些特色與低電壓設計使其成為一個特別具吸引力的解決方案，可處理來自使用觸控螢幕與其他高解析度智慧型手機功能時的大量程式資料。此外，透過應用先進的30奈米級製程技術，相較於以往40奈米級的設計，三星得已提高40%的生產力。
由於其比NAND更快速的寫入速度，OneNAND記憶體在系統中「寫入」時可被當作緩衝記憶體，並由於其NOR flash介面，亦可以做為更快速與高效能「讀取」運算時的緩衝。根據市場研究機構iSuppli的報告，預估2010年嵌入式NAND flash在行動電話市場的需求將達到11億顆（約當1GB），到2011年將成長兩倍以上，達到25億顆（約當1GB）。
