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三星成功開發單晶矽TFT主動矩陣有機EL面板

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三星電子(Samsung)開發出了利用單晶矽TFT的2.4吋QVGA主動矩陣有機EL面板,並在SID 2007展會上發表相關技術細節。由於提高主動矩陣有機EL面板的亮度需要加大發光材料的通過電流,因此需提高TFT半導體層的結晶性以及TFT載流子遷移率。過去多採用低溫多晶矽,三星則是首次使用單晶矽。

三星所開發的面板為240×320畫素,亮度為每平方公尺350cd,對比度為1萬比1。畫素間隔為51μm×153μm,畫素電路由2個TFT和1個電容器所組成。TFT的載流子遷移率為p通道90cm2/Vs、n通道120cm2/Vs,與其他有機EL專用的TFT相比之下高出許多。而三星也正利用此技術製作1.9吋TFT液晶面板。

由於單晶矽在製造面板的玻璃底板上成膜非常困難,因此三星使用了康寧開發的SiOG技術。這是在單晶矽晶圓表面淺層部位注入氫離子,然後把晶圓黏貼到康寧的EAGLE玻璃底板上,並從黏合後的底板內外兩側同時施加電壓的進行熱處理。當氫離子轉變為氫分子,而後取下晶圓,單晶矽膜便殘留在晶圓表面。

三星表示,此種方式所製造的TFT黏著性良好,可靠性也更高,且適用於大型面板之底板或者第四代底板。

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關鍵字:OLED