針對趨動行動通訊，設計及製造高效能無線電系統及解決方案的廠商RFMD發表其Gallium Nitride (GaN)高電子移動率電晶體(High Electron Mobility Transistor HEMT)高功率電晶體產品系列，並宣佈提供樣品予手機廠商及WiMAX基地台客戶。此電晶體樣品之供應，代表RFMD基準0.5um GaN高功率電晶體的進一步成就。
RFMD基礎架構產品事業群副總裁Jeff Shealy表示，「此市場是RFMD主要的成長區域，其發揮了我們既有的技術及生產專長，藉由此基準GaN製程技術的成就，我們將為客戶提供高功率、寬頻解決方案，而此方案將滿足客戶新一代無線架構，在更高成本效益及更具效率方面，不斷成長的部署需求。」
RFMD共同創辦人、技術長及企業副總裁Bill Pratt表示，「針對依恃最大功率及效率的手機基礎架構及WiMAX基地台OEM而言，RFMD的GaN電晶體比矽晶LDMOS裝置提供更高的at-package匹配阻抗、更高的功率密度及更廣的頻寬效能，此外，RFMD是GaAs的晶圓製造商，我們將能運用位於北卡羅萊納州Greensboro的高量化製造環境，達到最佳的成本優勢。」
此高功率裝置，提供絕佳的峰值汲極，於UMTS時效益達 67%，WiMAX頻帶時則達 60%。RFMD具備16dB之高增益、於28V時高功率密度達 4W/mm、以及1,000 小時的高溫度可靠性。
