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RFMD宣佈供貨GaAs pHEMT RF開關

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RF Micro Devices(RFMD)宣佈,將於1月9日至11日在加州LongBeach舉行的“IEEE Radio and Wireless conference”展示其最新的RF開關–RF1200及RF1450。

RF1200及RF1450運用了RFMD的GaAs製造能力,並發揮了針對用於RFMD傳輸模組而開發的切換技術。這些高效能開關,致能了在多重市場區隔的前端應用,包括多重模式的GSM/WCDMA手機、天線調諧器、IEEE802.11a/b/g WLAN及蜂巢式基礎架構等。

RF1200是一款單刀雙擲(SPDT)高功率開關,其符合所有WCDMA之線性需求,並具備低插入損失、低控制電壓及非常良好的調諧特性。其採用0.5μm GaAs pHEMT製程、及非常纖小的2X2mm、6針腳、無鉛QFN封裝。

RF1450則是單刀四擲(SP4T)高功率開關,專為提供多重模式WCDMA應用之卓越線性效能而設計。

RF1450包含了內建的解碼邏輯,使其只需兩條控制線便能控制開關。亦採用纖小3X3X0.6mm、16針腳、無鉛QFN封裝。

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