針對驅動行動通訊、設計及製造高效能無線電系統及解決方案廠商RF Micro Devices,Inc（RFMD），於6月5～7日假夏威夷檀香山舉行的IEEE MTT-S 2007國際微波論壇（International Microwave Symposium 2007）中，發表針對無線基礎設施的新GaAs pHEMT低雜訊放大器（LNA），以及展示針對商業和軍事應
用的GaN高功率產品。
RFMD RF386X系列的LNA，為蜂巢式及WiMAX基礎設施市場的理想選擇。新寬頻LNA能涵蓋700MHz至3800MHz，並提供相較於競爭解決方案之最佳雜訊和線性效能組合。RF386X系列的LNA適合鎖定CDMA、PCS、DCS、UMTS、WLAN和WiMAX應用的第一階低雜訊和線性驅動器放大器，此外，RFMD於其攤位展示兩款具備其第一代48V GaN電晶體技術的RF產品。
RF393X產品系列提供從10W至120W的功率效能，以及非常寬的可調式頻寬－展示了GaN技術相較於競爭性GaAs和矽晶技術的高功率及頻寬優越組合。RF393X系列提供非常高的鋒值效率，並且適合於廣播、蜂巢式無線基礎設施、高功率雷達、航太和航空電子學等應用。
RFMD RF382X產品系列的28V GaN 10W寬頻Power IC。RF3825提供於225MHz至1800MHz頻率範圍的功率效能，並且是RF382X產品系列中頻寬最寬的產品。RF3825透過比競爭解決方案更精小的單一、縮小尺寸解決方案，於多重八度音頻展示了10W功率效能，RF382X系列於整個操作頻寬提供非常高的鋒值效率，並且非常
適合於3G蜂巢式基礎設施、軍事通訊、軟體定義無線電（SDR）及公眾行動無線電應用。
RFMD亦展示其高整合性RF解決方案之組合，包括針對GSM/GPRS、EDGE、CDMA及WCDMA手機的領導級蜂巢式前端；針對GSM/GPRS及EDGE手手機的POLARIS TOTAL RADIO RF解決方案；以及WLAN前端及軟體GPS解決方案。
