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高阶晶片异常点无所遁形 C-AFM一针见内鬼 (2024.03.21)
从电性量测中发现晶片故障亮点，逐层观察到底层仍抓不到异常？即使在电子显微镜（SEM）影像中侦测到异常电压对比（VC）时，也无法得知异常点是发生在P接面还是N接面？本文为电性异常四大模式（开路、短路、漏电和高阻值）快速判读大解析 |
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自走式电器上的电池放电保护 (2023.11.26)
使用MOSFET作为理想二极体，能够为新一代自动化电器提供稳健可靠的安全防护。 |
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ROHM推出LiDAR用120W高输出功率雷射二极体 (2023.10.31)
半导体制造商ROHM推出一款高输出功率半导体雷射二极体「RLD90QZW8」， 非常适用於搭载测距和空间识别用LiDAR的工控设备领域的AGV（Automated Guided Vehicle/无人搬运车） 和服务机器人、消费性电子领域的扫地机器人等应用 |
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Littelfuse新型汽车级400 W瞬态抑制二极体采用表面贴装式封装 (2023.08.15)
汽车电子产品的数量和复杂程度不断增加，而所有相关元件都需要针对高电压、高能瞬态的保护力。工业技术制造公司Littelfuse推出新型SZSMF4L 400 W瞬态抑制二极体系列。
SZSMF4L瞬态抑制二极体具有快速回应时间、低齐纳阻抗、高浪涌处理能力和出色的钳位能力，可为这些敏感系统提供保护；其低泄漏电流同时也能够保护感测器 |
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安立知为光谱分析仪MS9740B 增强高功率雷射二极体测量功能 (2023.07.26)
Anritsu 安立知为其光谱分析仪 MS9740B 推出新的测量功能 (MS9740B-020)，使用脉冲模式评估雷射二极体 (Laser Diode，LD) 晶片。此全新解决方案缩短了高功率 LD 晶片的测试时间，有助於提升其生产效率 |
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特殊设计与背板巨量转移 将是MicroLED产业新研发方向 (2023.01.30)
本次东西讲座特别邀请??创显示科技先进技术开发处??处长吴志凌担任讲者，分享Micro LED的技术原理与未来应用。 |
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雷射焊接溯源扩大应用 (2022.12.25)
造就其中核心的光纤/半导体雷射源及模组架构不断推陈出新。但台厂技术能量与成本竞争力仍有落差，如今则可??迎接国际节能减碳的潮流而带来转机。 |
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Diode推出双向电流显示器 以低成本BoM达高精准量测 (2022.08.04)
Diodes公司今日宣布推出一系列采用高稳定性零点漂移架构的双向电流显示器。这些装置能够在广泛的共模电压范围内准确测量极低感测电压。主要产品应用项目包括笔记型电脑、电池充电器、工业伺服装置、伺服器、伺服器农场中的电源机架和机器人系统 |
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HOLTEK推出2-shunt FOC BLDC SoC MCU━HT32F65540G (2022.07.04)
盛群（Holtek）推出新一代Arm Cortex-M0+无刷直流马达控制专用整合型微控制器HT32F65540G，整合MCU、LDO及三相48V Gate-driver，非常适合小PCB空间采用2-shunt FOC的产品，如空气清净机、DC落地扇、排气扇、管道风扇、及相关诉求静音效果的产品应用 |
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HOLTEK推出1-shunt FOC BLDC SoC MCU?HT32F65532G (2022.06.29)
盛群半导体（Holtek）推出新一代Arm Cortex-M0+无刷直流马达控制专用整合型微控制器HT32F65532G，整合MCU、LDO及三相48V Gate-driver，适合小PCB空间采用1-Shunt FOC及方波Sensorless的产品应用，如手持吸尘器、低压吊扇、电动滑板车、电动自行车、泵类及扇类产品等 |
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新一代单片式整合氮化??晶片 (2022.05.05)
氮化??或氮化铝??（AlGaN）的复合材料能提供更高的电子迁移率与临界电场，结合HEMT的电晶体结构，就能打造新一代的元件与晶片。 |
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大联大友尚推出Diode 130W ACF氮化??NB PD电源适配器方案 (2022.04.19)
大联大控股宣布，其旗下友尚推出基於达尔科技（Diodes）AP3306、APR340与AP43771V等晶片的130W ACF氮化??NB PD电源适配器方案。
手机、平板、笔记本等便携式电子产品的技术迭代正不断超??人们想像，而其中最颠覆的技术之一莫过於快充技术 |
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中美矽晶布局化合物半导体 成功开发各尺寸晶圆产品 (2021.12.22)
中美矽晶集团积极发展化合物半导体，如碳化矽(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、钽酸锂及铌酸锂等。在本届的国际光电大展中，中美矽晶集团携手旗下半导体子公司环球晶圆及转投资事业 |
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Littelfuse新增1700 V碳化矽萧特基阻障二极体提供更快和低损耗开关 (2021.08.17)
Littelfuse公司今（17）日宣布扩充其碳化矽（SiC）二极体产品组合，新增1700 V级产品适用于资料中心、建筑物自动化和其他高功率电子应用。 LSIC2SD170Bxx系列碳化矽萧特基二极体采用TO-247-2L封装，可选择额定电流10A、25A或50A |
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ROHM推出600V耐压IGBT IPM 兼具出色降噪和低损耗特性 (2021.04.29)
半导体制造商ROHM推出四款兼具出色降噪性和低损耗性的600V耐压IGBT IPM（Intelligent Power Module）「BM6437x系列」，该系列产品可内建於生活家电（如空调、洗衣机等）和小型工控装置（如工控机器人的小容量马达等）中，非常适用於各种变频器的功率转换 |
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电源元件市场高成长 激化品牌创新与纵横合作 (2020.12.02)
再生能源、智慧运算与无线互联的科技愿景当前，寻获最适的新兴材料、元件架构与系统设计，成为全球电源元件供应大厂争相追求的火种—迸发创新的束束火光，已然在全球前沿电力电子市场发散热力 |
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显示器产业的数位转型思考 (2020.11.10)
现今对显示器产业数位转型的了解，需要用数位化的方式，基于模型去承载和定义产品相关的所有知识，也就是建立产品的数位双生。 |
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ST全新多合一多区ToF感测器模组 实现64倍测距区的性能升级 (2020.11.04)
半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics；ST）宣布扩大其FlightSense 飞行时间（Time-of-Flight；ToF）感测器产品组合阵容，推出全新64区测距感测器。该多区感测器可将场景划分成若干个区域，提升成像系统更多情境的空间资讯 |
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Toshiba Launches 1200V Silicon Carbide MOSFET That Contributes to High-efficiency Power Supply (2020.10.19)
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation has launched “TW070J120B,” a 1200V silicon carbide (SiC) MOSFET for industrial applications that include large capacity power supply. Shipments start today.
The power MOSFET using the SiC, a new material, achieves high voltage resistance, high-speed switching, and low On-resistance compared to conventional silicon (Si) MOSFET, IGBT products |
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泓格推出隔离型多埠串列设备服务器 实现序列设备快速连网 (2020.10.07)
泓格DS-2200i系列设备服务器，常被用来当作序列设备连网的途径，将原来无法上网的RS-232/422/485设备也能够连结至网路。使用者可透过VxComm Driver/Utility友善的设定，透过简单的几个步骤，便可将DS-2200i内嵌的COM Port模拟成为电脑主机的标准COM Port |
