聯電與台大共同宣佈，合作研發出一個適用於Wimax系統的射頻收發器晶片。該產品操作於5GHz頻段低雜訊放大器（LNA）之下，雜訊指數為1.78dB；其於低電壓操作（1V）的接收器射頻前端（Receiver Radio Frequency Front End）也達成5~6dB的雜訊指數。除此之外，該射頻收發器採用全新的系統架構，在最精簡化的設計下，有效降低直接降頻接收器會遭遇的直流偏移問題。此項設計將可作為商業應用產品的SIP（矽智產）。
該研究是由國立台大電子工程學研究所呂學士教授帶領其研究生所研發。呂教授表示，獲得如聯電這樣的半導體業者的支援，能擴展研究範圍，更進一步探索新興WiMax的研發領域。聯電0.18微米CMOS製程所展現的射頻效能，遠超過期待。透過這次雙方的共同努力，能將這個射頻收發器呈現在世人眼前。
目前聯電與台大已經針對此新式系統架構，共同提出專利的申請，預計在明年將順利取得專利權。此次合作成果係屬於聯電與台大之間，自2005年起為期兩年之校園合作計畫的其中一部份。
