深入解析新型Power Clip 33 Dual MOSFET
實現更高功率密度的方法
作者\SG Yoon;Arthur Black
若干因素(包括矽材料的選擇、IC 佈局、功率電路組態)推動 Dual Power MOSET 的發展,使其在更小封裝內實現更高功率密度。