創新FDSOI能帶調製元件雙接地層Z2FET
作者＼H.El Dirani 等人
本文介紹一個創新的依靠能帶調製方法的快速開關 Z2-FET DGP元件，該元件採用先進的FDSOI製造技術，具有超薄的UTBB，並探討在室溫取得的DC實驗結果。
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