其實Cypress在懸空近接觸控與金屬觸控筆上已經推出多時了，一直沒看到使用成功的案例。

推論:

       可能在於當觸控面板與螢幕貼合後，觸控Sensor的自電容會增加，降低了偵測靈敏度，使的 Hover 與 金屬筆的操作不可行， 或者是貼合後更多的雜訊進入Sensor，使的微小的變化不易分辨，錯誤的機率大增，使得系統廠商就算有這個功能也不願加入提供給客戶使用。

       Cypress TrueTouch Gen4 有一個重要功能卻很少人注意到，就是自電容與互電容可任意切換。

    推論-Cypress TrueTouch Gen4的 Hover Sensing 與金屬觸控筆的功能是用自電容的技術而不是互電容的技術，互電容的技術只是在判別鬼點而已。

    自電容與互電容在技術上有什麼差異，基本上可以想像成，自電容量度一個變化的電容，互電容量度的是兩個變化的電容串聯後的分壓，一個變數對上兩個變數，當然測量一個變數要容易的多，當觸控發生時的變化量而言，自電容的變化量要大於互電容，尤其尺寸愈大時差異也愈大，互電容唯一的好處只有解決鬼影問題，這就是為什麼Cypress TrueTouch Gen4有一個重要的功能，就是可以隨時切換自電容與互電容的電路，相信Cypress 的 Hover Sensing 與觸控筆的功能是用自電容的電路完成的而不是互電容的電路，互電容的電路只是用來判斷鬼影而已，如果上述的推論屬實，Apple所使用的觸控電路相形之下，就處於落後的局勢下了。

 Cypress 所公告的技術資料與 SuperC_Touch 的實驗資料作個比較

SNR比                                         C(80)                 S(200)
Waterproofing                               C(yes)               S(yes)
抗AC Noise                                 C(yes)               S(yes)
抗LCD 的 VCom訊號干擾        C(yes)                S(yes)
手指懸空偵測距離                     C(1~2 Cm)       S(6~7Cm)
抗RF Noise                                   C(yes)              S(yes)
Sample Rate                                  C(>1K)            S(10K)
可使用的觸控筆材質                 C(金屬)           S(鉛筆)
觸控筆尖                                     C(1 mm)          S(<1mm)
配合的觸控面板結構                 C(雙層結構)  S(單層結構)

C 表示 Cypress
S 表示 SuperC_Touch
Cypress 的測試條件為已完成的ASIC經過軟體演算法後的結果
SuperC_Touch 為單純的CMOS加上OP的實驗用電路板配合Cypress Psoc5  的 ADC讀取資料，未經過任何演算法

       Cypress 9月19日發表TrueTouch Gen4 的觸控技術預計要將市面上現有觸控技術送入歷史，其強調的重點在使用32位元的ARM處理器，可使用COM Port喚醒睡眠，uW級的睡眠消耗功率，不過最讓Cypress 引以為傲的是其獨特的雜訊處理技術(軟體演算法)。 

      說實在的看過的各家觸控IC廠商的測試影片，Cypress確實在抗雜訊，抗水汙，懸空近接感應，金屬筆做觸控方面表現得較為突出，但 SuperC_Touch的觸控技術可能更勝一籌，只是SuperC_Touch的觸控技術還未商品化，僅屬實驗階段，無法在此共襄盛舉，實屬可惜。

    最後還是要給Cypress的技術團隊推一個  "讚"  ，必竟能作到如此優的觸控IC真的不容易。