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讨论新闻主题﹕贸泽供应Qorvo QPD1025L碳化矽基氮化??电晶体 适合航空电子应用

新闻 提要
贸泽电子即日起开始供应Qorvo的QPD1025L碳化矽基氮化?? (GaN-on-SiC) 电晶体。 QPD1025在65V的运作功率达1.8 kW，为业界功率最高的碳化矽基氮化?? (GaN-on-SiC) 射频电晶体，拥有高讯号完整度和延伸的涵盖范围，适合L波段航空电子和敌我识别 (IFF) 应用。 GaN技术的效能与可靠度已获实证考验，为基础架构、国防与航太应用的最隹选择，适用於雷达、通讯、导航与类似应用。其效能等级更为提升，让设计人员在节省基板空间、降低系统成本等方面拥有更多弹性，并改善系统效能。 贸泽电子所供应的Qorvo QPD1025L为高电子迁移率电晶体 (HEMT)，同时支援脉冲与连续波 (CW) 运作，能更有效地提供等同於矽基LDMOS装置的效能

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