<
账号：
密码：

讨论新闻主题﹕安森美半导体推出全新工业级和符合车规的SiC MOSFET

新闻 提要
安森美半导体推出了两款全新碳化矽（SiC）MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽能带隙（WBG）技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不断电系统（uninterruptable power supply；UPS）及伺服器电源。 此标志着安森美半导体壮大其全面且不断成长的SiC生态系统，包括SiC二极体和SiC驱动器等互补元件，以及重要设计资源如元件仿真工具、SPICE模型和应用资讯，以帮助设计和系统工程师应对高频电路的开发挑战。 安森美半导体的1200伏（V）、80毫欧（mΩ）、SiC MOSFET是强固的，符合现代高频设计的需求

发表新主题
主题：
文章内容：
  确认码:  
  一般讨论区
一般讨论区
新闻报导论坛
Aktive besked forum
专栏评析
零組件科技論壇
產業新品中心
  應用論壇區
文章论述论坛
软件应用论坛
产品应用论坛
Microchip數位電源討論區─贏取大獎
  技术应用区
电子技术类：
计算机科技类：
网际科技类：
軟體資源類：
 
刊登廣告 ｜ 新聞信箱 ｜ 读者信箱 ｜ 著作權聲明 ｜ 隱私權聲明 ｜ 本站介紹
︱ Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29号11楼 / 电话 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw