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讨论新闻主题﹕英飞凌推出OptiMOS源极底置25V功率MOSFET 采用PQFN 3.3x3.3mm封装

新闻 提要
英飞凌科技持续专注於解决现今电源管理设计面临的挑战,透过元件层级的强化实现系统创新。源极底置(Source Down)是符合业界标准的全新封装概念,英飞凌已推出首批基於该封装概念的功率MOSFET-采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOS 25V。这款装置在MOSFET性能方面树立了新的产业标竿,不仅导通电阻降低,还具有业界领先的散热管理指标,其应用范围非常广泛,包括:马达驱动、SMPS(包括伺服器、电信和OR-ing)及电池管理等。 新封装概念将源极(而非传统的汲极)与导热片相连。除了实现新的PCB布局,更有助於实现更高的功率密度和性能。目前推出两种不同封装的版本:分别是源极底置标准闸极(Standard-Gate)和源极底置置中闸极(Center-Gate)的PQFN 3.3x3.3mm封装

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