<
账号：
密码：

讨论新闻主题﹕安森美半导体推出900V和1200V SiC MOSFET 用於高要求高增长应用

新闻 提要
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)推出另两个碳化矽(SiC)MOSFET系列，扩展了其宽能隙(WBG)元件系列。这些新元件适用於各种高要求的高增长应用，包括太阳能逆变器、电动汽车(EV)车载充电、不断电电源设备(UPS)、伺服器电源和EV充电站，提供的性能水准是矽(Si)MOSFET根本无法实现的。 安森美半导体的新的1200伏（V）和900V N型通道SiC MOSFET提供比矽更快的开关性能和更高的可靠性。快速本征二极体具有低反向恢复电荷，显着降低损耗，提高工作频率以及整体方案的功率密度。 小晶片尺寸进一步增强高频工作，达至更小的元件电容和更低的闸电荷-Qg（低至220 nC），从而降低在高频下工作时的开关损耗

发表新主题
主题：
文章内容：
  确认码:  
  一般讨论区
一般讨论区
新闻报导论坛
Aktive besked forum
专栏评析
零組件科技論壇
產業新品中心
  應用論壇區
文章论述论坛
软件应用论坛
产品应用论坛
Microchip數位電源討論區─贏取大獎
  技术应用区
电子技术类：
计算机科技类：
网际科技类：
軟體資源類：
 
刊登廣告 ｜ 新聞信箱 ｜ 读者信箱 ｜ 著作權聲明 ｜ 隱私權聲明 ｜ 本站介紹
︱ Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29号11楼 / 电话 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw