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讨论新闻主题﹕盛美半导体推出功率元件的立式炉设备 提升IGBT制程合金退火性能

新闻 提要
随着电晶体变薄、变小和速度变快，合金退火功能对满足绝缘栅双极型电晶体（IGBT）元件不断增长的生产要求至关重要。因此，半导体制造与晶圆级封装设备供应商盛美半导体近日宣布，其开发的Ultra Fn立式炉设备扩展了合金退火功能，将立式炉平台应用拓展到功率元件制造领域。 据行业研究公司Mordor Intelligence资料：「2019年IGBT市场价值为54亿美元，预计到2025年将达到93.8亿美元，复合年增长率为9.66％。IGBT的广泛应用吸引了许多新公司进入市场。IGBT可驱动或转换多种现代电器中的电能，如炊具，微波炉，电动汽车，火车，变频驱动器（VFD），变速冰箱，空调，灯镇流器，市政电力传输系统和立体声系统，这些都配备了开关放大器

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