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讨论新闻主题﹕ST推出MasterGaN系列新款非对称拓扑产品

新闻 提要
半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics；ST纽约证券交易所代码：STM）MasterGaN平台的创新优势持续延伸，今日推出的新款MasterGaN2，是新系列双非对称氮化??（GaN）电晶体的首款产品，适用於软开关有源钳位元反激拓扑的GaN整合化解决方案。 两个650V常关型GaN电晶体的导通电阻（RDS(on)）分别为150mΩ和225mΩ，每个电晶体皆整合一个优化的闸极驱动器，让GaN电晶体如普通矽元件一般便捷易用。其整合了先进驱动功能和GaN既有的性能优势，MasterGaN2可进一步提升有源钳位反激式转换器等拓扑电路之高效能、小体积和轻量化优势。 MasterGaN功率系统级封装（SiP）系列在同一封装整合了两个GaN高电子迁移率电晶体（HEMT）和配套的高压闸极驱动器，还内建了所有必备的保护功能

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