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討論新聞主題﹕愛德萬測試研發出用於記憶測試系統STT-MRAM的切換電流測量系統

新聞 提要
半導體測試設備供應商愛德萬測試宣布其與日本東北大學創新整合電子系統中心〈CIES〉的合作，本計畫由東北大學電機研究所教授遠藤哲夫主持，成功地研發出高速、高精確度模組，可以測量磁性隨機存取記憶體〈STT-MRAM〉中記憶束的切換電流，這是眾所期待用於愛德萬測試記憶測試系統的次世代記憶技術，運作速度為微安培/奈米秒。 由於這項科技的創新，使得觀察STT-MRAM記憶單元每分鐘通過電流變化成為可能，此外，由於運用新研發技術開發成功的此測試系統，也讓STT-MRAM故障分析及STT-MRAM技術實務應用又向前跨出了一大步。這項測試科技除應用於STT-MRAM系統外，也可用於其他如ReRAM及PCRAM電阻改變類的記憶系統上

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