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討論新聞主題﹕英飛凌推出OptiMOS源極底置25V功率MOSFET 採用PQFN 3.3x3.3mm封裝

新聞 提要
英飛凌科技持續專注於解決現今電源管理設計面臨的挑戰，透過元件層級的強化實現系統創新。源極底置(Source Down)是符合業界標準的全新封裝概念，英飛凌已推出首批基於該封裝概念的功率MOSFET–採用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOS 25V。這款裝置在MOSFET性能方面樹立了新的產業標竿，不僅導通電阻降低，還具有業界領先的散熱管理指標，其應用範圍非常廣泛，包括：馬達驅動、SMPS(包括伺服器、電信和OR-ing)及電池管理等。 新封裝概念將源極(而非傳統的汲極)與導熱片相連。除了實現新的PCB布局，更有助於實現更高的功率密度和性能。目前推出兩種不同封裝的版本：分別是源極底置標準閘極(Standard-Gate)和源極底置置中閘極(Center-Gate)的PQFN 3.3x3.3mm封裝

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