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討論新聞主題﹕安森美半導體推出900V和1200V SiC MOSFET 用於高要求高增長應用

新聞 提要
推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor)推出另兩個碳化矽(SiC)MOSFET系列，擴展了其寬能隙(WBG)元件系列。這些新元件適用於各種高要求的高增長應用，包括太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電、不斷電電源設備(UPS)、伺服器電源和EV充電站，提供的性能水準是矽(Si)MOSFET根本無法實現的。 安森美半導體的新的1200伏（V）和900V N型通道SiC MOSFET提供比矽更快的開關性能和更高的可靠性。快速本征二極體具有低反向恢復電荷，顯著降低損耗，提高工作頻率以及整體方案的功率密度。 小晶片尺寸進一步增強高頻工作，達至更小的元件電容和更低的閘電荷-Qg（低至220 nC），從而降低在高頻下工作時的開關損耗

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