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討論新聞主題﹕英飛凌OptiMOS源極底置功率MOSFET 新添PQFN封裝40V裝置

新聞 提要
當代的電源系統設計需要高功率密度和精巧的外型尺寸，進而得到最高的系統級效能。英飛凌科技專注於強化元件級的系統創新，來應對上述挑戰。繼2月份推出25V裝置後，英飛凌再推出OptiMOS 40V低電壓功率MOSFET，採用源極底置(Source-Down；SD)的PQFN封裝，尺寸為3.3 x 3.3mm2，適用於伺服器的SMPS、電信和OR-ing，還適用於電池保護、電動工具和充電器等應用。 英飛凌指出，SD封裝的內部採用上下倒置的晶片，如此一來，源極電位(而非汲極電位)就能透過導熱片連接至PCB。與現有技術相比，該封裝最終可使RDS(on)銳減25%。 此外，與傳統PQFN封裝相比，接面與外殼間的熱阻(RthJC)亦獲得大幅改善

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