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討論新聞主題﹕安森美全新650V碳化矽MOSFET系列 滿足車規與工規應用需求

新聞 提要
安森美半導體(ON Semiconductor)宣布推出一系列新的碳化矽(SiC)MOSFET裝置，適用於對功率密度、能效和可靠性要求極高的應用。設計人員用新的SiC裝置取代現有的矽開關技術，將在電動汽車(EV)車載充電器(OBC)、太陽能逆變器、伺服器電源(PSU)、電信和不斷電供應系統(UPS)等應用中實現顯著的更佳性能。 安森美半導體新的車規AECQ101和工業級合格的650伏(V) SiC MOSFET基於一種新的寬能隙半導體，提供比矽更勝一籌的開關性能和更好的熱性能，因而提高系統級能效、功率密度，及減少電磁干擾(EMI)、系統尺寸和重量。 新一代SiC MOSFET採用新穎的有源單元設計，結合先進的薄晶圓技術，可在650V擊穿電壓實現同類最佳的品質因數Rsp(Rdson* area)

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