相變記憶體的存取但由於需要使用較高功率的電源，因此較難應用在手機或可攜式的裝置上。日前，美國的科學家以奈米碳管結合GST克服了這個問題。他們先在奈米管中間製造出20~300 nm的微小缺口，並在缺口處填入GST材料，接上電源後，跨過碳管缺口的電場會將GST轉變成結晶相，電阻降至約0.5 MΩ。（圖/nanotech）