很多人都在从事半导体更微小制程的突破，但还是以现有的设备制程来发展最为经济。日前加州大学圣地亚哥分校的研究人员，就发表了在微显影上的重大突破，他们利用CO2雷射系统产生的超紫外线显影技术(EUVL)，以较的长脉冲取代短脉冲，再加上镜面系统的放大器(如图)，成功地产生更强的效果。此一发现，可望成为下一代的半导体显影工具，领导此一研究的科学家Mark Tillack表示，正在研究CO2雷射其它方面的应用。(图/UC San Diego)